Makromodellierung parasitärer Substrateffekte von Bipolartransistoren einer BiCMOS-Technologie [German]

Inhaltsangabe: Einleitung: Die vorliegende Arbeit behandelt die Modellierung und die Erkl rung parasit rer Substrateffekte, wie sie bei lateralen Transistorstrukturen auftreten. Der Modellierung von lateralen Transistoren wurde schon einmal Ende der 60er Jahre gro e Beachtung zuteil. Einhergehend mit den Bestrebungen hin zu immer kleineren Strukturen und einfachen Technologien wurden zahlreiche Untersuchungen zu diesem Thema vorgenommen. Die Abhandlungen zu dieser Zeit besch ftigen sich denn auch meist mit prinzipiellen Beschreibungen der Funktionsweise der Lateralstrukturen im Hinblick auf Verbesserungen in ihrer Effektivit t. Mit dem Aufkommen der MOS sank auch das Interesse an Bipolartechnologien und damit auch an der Modellierung von lateralen pnp-Transistoren. Nachdem gerade in neuester Zeit neue Kombinationstechnologien entwickelt werden, in denen Analog- und Digitalfunktionen auf einem Chip realisiert werden sollen, den sogenannten BiCMOS-Technologien, kommen auch vermehrt wieder laterale Transistoren zum Einsatz. Ein Grund daf r ist, dass man bei der Integration von Bipolartransistoren in einer BiCMOS-Kombinationstechnologie aus Gr nden der vereinfachten Prozessf hrung gezwungen ist, die Strukturen der Transistoren gegen ber Standard-Bipolartechnologien zu modifizieren. Neben ver nderten Dotierungskonzentrationen, Eindringtiefen oder Abschirmungsma nahmen ergeben sich vor allem im strukturellen Aufbau der Transistoren Ver nderungen. Im Bipolarteil solcher BiCMOS-Prozesse werden deshalb die pnp-Transistoren meist in lateraler Form ausgef hrt. Dar ber hinaus findet eine Optimierung des Prozesses im Hinblick auf die npn-Transistoren statt, da mit ihnen naturgem effektivere Bauteile hergestellt werden k nnen. Ein gro es Problem bei lateralen Transistoren ist zum einen das nicht mehr spezifische Transistorverhalten, wie es in vertikalen Bauteilen auftritt und zum Beispiel von Simulationsprogrammen wie SPICE nachgebildet wird, zum anderen treten parasit re Effe